반도체법 집행...보조금, 예상보다 30% 늘어나 9조원
바이든 "흐름 되돌린다"...첨단칩 20% 자국생산 목표
로이터 "이르면 내주 삼성전자 보조금 등 지원도 발표"

미국 정부가 반도체법(Chips Act)에 따라 세계 최대 파운드리(반도체 수탁생산) 업체인 대만 TSMC에 총 116억달러(15조7천억원)에 달하는 자금을 지원한다.

이는 미국 정부가 미래 기술패권을 위해 추진하는 안보 전략의 일부로 한국 삼성전자에 대한 지원 규모도 이르면 내주 발표될 것이라는 현지언론 보도가 나온다.

로이터와 AP통신 등에 따르면 미국 상무부는 8일(월) TSMC에 반도체 공장 설립 보조금 66억달러(약 8조9천억원)를 지원한다고 발표했다.

상무부는 보조금에 더해 50억달러(6조8천억원) 규모의 저리 대출도 TSMC에 제공하기로 했다.

보조금 66억달러는 당초 예상됐던 50억달러(약 6조7천억원) 대비 30% 이상 늘어난 규모다.

외국 반도체 기업에 대한 미국 정부의 이 같은 지원은 첨단 반도체의 공급망을 국내로 끌어들이기 위한 경제·안보 전략이다.

미국 정부는 중국과의 기술 패권 대결이 격화하는 상황에서 첨단 기술의 핵심인 반도체에 대한 해외 의존도가 높다는 점을 안보 위험으로 간주해왔다.

바이든 대통령은 이날 성명에서 "미국이 반도체를 발명했지만 시간이 지나면서 우리 반도체 생산량은 전 세계 40%에서 10%까지 줄었다. 게다가 최첨단 반도체는 생산하지 못해 경제와 국가 안보에 심각한 취약성을 드러냈다"고 말했다.

그는 반도체법으로 "이런 흐름을 되돌리고자 한다"며 (TSMC 등에 대한 투자로 건설되는 생산시설들은) 세계에서 가장 진보된 반도체를 생산해 미국이 2030년까지 전 세계 최첨단 반도체의 20%를 생산할 수 있게 할 것"이라고 말했다.

바이든 행정부의 이 같은 야심에 부응해 TSMC는 미국 내에 첨단 반도체 설비를 대폭 늘리겠다고 약속했다.

TSMC는 미국 내 투자 규모를 250억달러(33조9천억원) 늘인 650억달러(88조1천억원)로 확대하고, 2030년까지 애리조나주에 2나노 공정이 활용될 세 번째 팹(fab·반도체 생산공장)을 건설한다는 계획을 발표했다.

TSMC는 이미 400억 달러를 들여 애리조나주 피닉스에 팹 두 곳을 건설 중이다. 2021년 첫 번째 팹을 착공했고, 지난해에는 두 번째 팹 건설을 시작했다.

TSMC는 이날 보도자료에서 "첫 번째 팹은 2025년 상반기에 4나노 기술을 활용한 생산을 시작할 예정이고, 앞서 발표한 3나노 기술에 더해 차세대 나노시트 트랜지스터를 활용해 세계 최첨단 2나노 공정 기술로 생산하는 두 번째 팹은 2028년 조업을 시작할 것"이라고 말했다.

이어 "세 번째 팹은 2나노 혹은 더 진보된 공정으로 2020년대 말부터 칩 생산을 시작할 것"이라며 세 곳의 팹이 첨단·고임금 일자리 6천개가량을 창출할 것이라고 설명했다.

지나 러몬도 상무부 장관은 TSMC의 650억달러 투자는 미국 사상 외국인 직접 투자로는 최대 규모라고 말했다.

러몬도 장관은 또한 TSMC가 생산하게 되는 반도체들이 "모든 인공지능과 우리 경제를 지탱하는 데 필요한 기술을 지탱하는 필수적인 부품이며, 21세기 군사 및 국가 안보(에 필요한) 장치"라고 강조했다.

로이터는 또한 소식통을 인용해 이르면 다음 주 중으로 한국의 삼성전자에 대한 보조금 지원도 발표할 것으로 예상된다고 전했다.

블룸버그 통신은 최근 보도에서 삼성전자는 60억달러(8조2천억원) 이상의 보조금을 받을 것으로 전망했다.

이어 지난 5일에는 삼성전자가 미국 텍사스주에 대한 반도체 투자를 기존 170억달러(23조원)에서 그 두배 이상인 440억달러(59조6천억원)로 확대할 계획이라는 월스트리트저널(WSJ) 보도가 나왔다.

미국 정부는 앞서 지난달 20일에는 자국 반도체 제조 업체 인텔에 보조금 85억달러와 대출 110억달러 등 총 195억달러(26조4천억원)에 달하는 자금을 지원한다고 발표했다. 이는 지금까지 반도체법에 따라 나온 자금 지원 계획 가운데 최대 규모다.

반도체법은 반도체 기업의 미국 내 설비투자를 장려하기 위한 것으로, 미국에 공장을 짓는 기업에 반도체 생산 보조금으로 총 390억달러, 연구개발(R&D) 지원금으로 총 132억달러 등 5년간 총 527억달러(71조4천억원)를 지원하도록 했다.

미국 정부는 보조금 등 자금 지원을 통해 해외 반도체 선두 기업의 생산 설비를 끌어들여 2030년 전까지 전 세계 첨단 반도체의 20%를 자국에서 만들겠다는 계획을 세우고 있다. 현재 미국 내에서는 첨단 반도체 생산이 이뤄지지 않고 있다.

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