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18일 시장조사기관인 IHS테크놀로지의 최근 보고서에 따르면 삼성전자의 2분기 메모리반도체 매출액은 67억1천800만 달러로 1분기보다 14.2% 증가했다.
시장점유율은 34.7%로 전분기(32.4%)보다 2.3%포인트 상승하면서 1위 자리를 지켰다.
이 같은 점유율은 2012년 2분기(35.1%) 이후 2년 만에 가장 높은 수준이다.
삼성전자는 최근 20나노미터 D램과 수직구조 낸드플래시(V낸드)를 앞세워 메모리 업계의 미세공정 경쟁을 주도하며 시장 영향력을 확대해가고 있다.
삼성전자는 지난 3월부터 세계 최초로 20나노 D램 양산을 본격화했다. 20나노 D램은 생산성이 30나노급 D램보다 2배 이상 높다.
이에 더해, 삼성전전자는 기존에 수평으로 배열하던 셀을 수직으로 쌓아 미세공정의 한계를 극복한 3차원 수직구조 낸드플래시를 지난해부터 유일하게 양산하고 있다.
이에 힘입어 삼성전자의 2분기 D램 매출액은 43억1천100만 달러로 1분기보다 15.3% 늘었으며, 낸드플래시 매출액은 23억8천200만 달러로 14.3% 증가했다.
D램 점유율은 2분기 39.0%로 전분기(37.2%)보다 1.8%포인트, 낸드플래시 점유율은 33.2%로 전분기(30.0%)보다 3.2%포인트 높아졌다.
한편, 미국 마이크론테크놀로지는 2분기 메모리반도체 매출액이 39억7천400만 달러, 점유율 20.5%로 2위를 차지했다.
2분기 전체 메모리반도체 시장 매출액은 193억4천700만 달러로 1분기보다 6.6% 증가했다. 이 중 D램 매출액은 110억5천200만 달러로 10.0%, 낸드플래시는 71억7천200만 달러로 3.2% 늘었다.
